杨杰哈哈笑一笑,老天爷好不容易让自己重生一🗂😷🆄回,自己手头上有大量的技术专利,不拿出利用那简直太暴殄天物了!

    “我都怀疑杨少⛁🗚🜉你上辈子是不是搞📴IC的?这辈子是带着记忆投胎?为什么有着如此多的想法?”

    “🛽⚐谭总你可是还科学家呢!怎么🋉还相信这一套!”🃏🖰🖓

    谭云松笑了起来:“没办法,国内在半导体产业上有着如此快速的提升,这就是一个奇迹呀!根本没办法用科学来解释🈤⛼★。”

    “这不是谭总最希望🈺🃔🈺🃔看到的结果么。”杨杰笑着道。

    次日,杨杰也是出现在了新🟓🜯蓝科技公司的研发中心,会议室里面坐满了公司研发部🄭门的技术工程师,中间还有二十多名的MI国的工程师。

    他指着投影屏幕上自制的PPT说道:“大家看啊,这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜,🁫🈫这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、⚣屏障氧化层,其中氮化硅🃺🜲🆈具有极高的电子陷阱密度,可以捕获电子,达到存储电荷的目的,带电就是1,不带电就是0。”

    杨杰继续说道:“氮化硅🚜🔐⛗之前只是用在对🙟🋧底层金属实现覆盖,因为针孔很少,对水汽和钠在氮化硅材料🈳🂜🏨中扩散非常慢,这次我们将氮化硅注入沟道边沿。”

    他看到众人都是露出了困惑的表情,笑着解释道:“我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,在对单元进行写入操作时,采用热电子注入法,将热电子注入沟道边缘的氮化硅,这样就完成了写入过程,在作擦除时,利用价带间的空穴,将空穴注入沟道边缘的氮化硅,消除🙏电荷,就完成了擦除。

    “由于氮化硅的绝缘性,热电子效应产生的电子只🃏🖰🖓能被注入并限制在沟道边缘。正是这样,两侧沟道一旦全部带电就是11,全部不带电就是00,但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除,就会出现四种情况,一种是01,一种是10,于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下,🁧🈋让现有的闪存容量增加了一倍。”

    “在这个基础上,我们可以今后发展出多电压控制栅极多层注入电荷技术产品,实现多层的堆叠,可以用这种技术在现有的制程🎙👟工⚣艺上最大限度地增加闪存的容量,而不是完全依🁿靠制程工艺的提升,这也大大地降低了闪存的成本。”

    听到这里,会议室里一片哗然,🋉众人都是无比惊喜,韩小龙此时激动地鼓掌,随后大家都是跟着用力地鼓起掌来。

    “杨少你太神了!我们得赶紧实验!赶紧写论文申请专利!”韩小龙激🝇🉃🄪动地说道。

    “杨先生,你的设想太完美了!我觉得可行!真的可行!这个路子怎么🝇🉃🄪以前就没人想到呢!你真是天才!”

    此时🄙♥🊟好🊆🎅🎰🊆🎅🎰几个MI国工程师都是激动地站起来嚷嚷。

    “杨少,我有个问题,这种技术路线的确让一个存储单位可以承载四个信息,比以前翻了一倍,可接下来怎么读取呢?”一个工程师举起手🄓☭问道。

    “这四种情况的电压是不同的呀,我们只要设计出一套解码电路🙐🉞🈚,用于读取并解析数据就行,具体的解码电路还需要你们去设定。”杨杰笑着道。

    “杨少,我们马上对解🞏📆😢码电路进行设计,我差不多有了想法,我保证下一周把芯片设计拿出来,随后就能进行制程工艺流程的设计,最晚月底,我们就可以进行第一次工程流片!”

    韩小龙激动地说道。

    “很好,⚕👐我等着你们的好消息。”杨杰看到众人都跟打了鸡血一样,笑着点头道。

    现在他捅破了这层窗户🞏📆😢纸,新蓝科技公司🙟🋧将成为世界上第一家采用3D闪存技术的设计企业!也可以说是彻底地摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存👂专利束缚,抵消了需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费!